研究基盤技術センター

平成30年度安全衛生講習会
平成30年度研究基盤技術センター講習会
各種高周波デバイス評価システムの共通利用

平成30年度安全衛生講習会について
本研究所の構成員の方を対象に、
下記の通り平成30年度の安全衛生講習会を開催致します。
お忙しいところ誠に恐れ入りますが、ご出席下さいますようご案内いたします。
また、各研究室におかれましては、構成員すべての方に出席をご周知下さい。
対象：常勤・非常勤教職員、学生、研究員等を含む研究所構成員全員
日時：平成30年4月12日（木）
午前の部：10:30～11:30（11:30～12:00は情報セキュリティ講習会）
午後の部：15:30～16:30（16:30～17:00は情報セキュリティ講習会）
場所：ナノ・スピン棟4F　カンファレンスルーム
安全衛生講習会終了後、午前、午後とも引き続き「平成30年度情報セキュリティ講習会」を行います。

平成30年度研究基盤技術センター利用説明会について
平成30年度研究基盤技術センター利用説明会を下記の通り開催いたします。
研究基盤技術センターの利用につきまして新規で利用する場合には、
利用説明会の出席が必須となります。
分野責任者及び利用責任者の皆様にはくれぐれもこの点をご理解頂き、
配属学生へ周知下さいます様お願い申し上げます。
利用に関するお問い合わせは研究基盤技術センター（内線5571）まで
ご連絡下さるようお願い致します。
日時：平成30年4月19日(木)15:30～
場所：ナノ・スピン棟4F　カンファレンスルーム
プログラム：
・工作部
実験機器の設計・製作依頼、工作機械の使用
・評価部
共通利用機器について
ヘリウムサブセンター（液体寒剤の供給）
ガラス工作室　（ガラス器具製作）
・プロセス部
薄膜作製　共通利用機器について

各種高周波デバイス評価システムの共通利用について
研究基盤技術センターでは、
各種高周波デバイス評価システムの共通利用の提供を開始します。
システムの概要をウェブページ上で公開＜ここをクリック※学内限定＞しますので、
活用をご検討下さい。
見学の希望や利用方法について不明な点・詳細については、
評価部：丹野（内線5571）までお問い合わせ下さい。